제1항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체는 수소 결합성 유기 리간드와 금속 클러스터의 결합으로부터 유래되고 서로 적층되어 있는 복수의 이차원 육각 층(two-dimensional hexagonal layers)을 포함하는 화학저항물질.

제2항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체의 상기 수소 결합성 유기 리간드는 히드록시기(OH), 아민기(NH2), 티올기(SH) 또는 이들의 조합에서 선택된 수소 결합성 작용기로 치환된 벤젠 고리 또는 축합 다환 방향족 고리를 포함하는 화학저항물질.

삼차원 금속-유기 골격체와 이차원 금속-유기 골격체의 도전성 다공 나노복합체를 포함하고,상기 이차원 금속-유기 골격체는 상기 삼차원 금속-유기 골격체의 표면에서 상기 삼차원 금속-유기 골격체와 화학적으로 결합되어 있으며,상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체는 상기 도전성 다공 나노복합체 내에서 코어-쉘 구조를 형성하는 화학저항물질.

제2항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체의 상기 금속 클러스터는 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Zn2+, Mg2+ 또는 이들의 조합을 포함하는 화학저항물질.

제2항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체의 상기 각 이차원 육각 층은 상기 삼차원 금속-유기 골격체의 표면에 수직하게 뻗어 있는 화학저항물질.

제2항에서,상기 복수의 이차원 육각 층은 교대로 적층되어 있는 제1 이차원 육각 층과 제2 이차원 육각 층을 포함하고,상기 제1 이차원 육각 층의 금속 클러스터의 배위수와 상기 제2 이차원 육각 층의 금속 클러스터의 배위수는 서로 같거나 다른 화학저항물질.

제6항에서,상기 제1 이차원 육각 층에 포함된 상기 금속 클러스터와 상기 제2 이차원 육각 층에 포함된 상기 금속 클러스터는 상기 제1 및 제2 이차원 육각 층의 면내 방향에 수직한 방향을 따라 서로 나란히 배치되거나 지그재그로 배치되어 있는 화학저항물질.

제1항에서,상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체의 계면에서 상기 이차원 금속-유기 골격체의 유기 리간드는 상기 삼차원 금속-유기 골격체의 금속 클러스터와 배위 결합되어 있는 화학저항물질.

제8항에서,상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체의 계면에 위치한 상기 이차원 금속-유기 골격체의 상기 금속 클러스터의 배위수는 상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체의 계면 이외의 영역에 위치한 상기 이차원 금속-유기 골격체의 상기 금속 클러스터의 배위수보다 큰 화학저항물질.

제1항에서,상기 삼차원 금속-유기 골격체는 팔면체형 다공성 물질이고,상기 이차원 금속-유기 골격체는 막대형 도전성 물질인화학저항물질.

삼차원 금속-유기 골격체를 이차원 금속-유기 골격체용 수소 결합성 유기 리간드로 표면 개질하는 단계, 그리고표면 개질된 상기 삼차원 금속-유기 골격체에 이차원 금속-유기 골격체용 금속 전구체를 제공하고 시드 매개 성장에 의해 상기 삼차원 금속-유기 골격체의 표면에서 상기 삼차원 금속-유기 골격체와 화학적으로 결합되어 있는 이차원 금속-유기 골격체를 형성시켜 도전성 다공 나노복합체를 형성하는 단계를 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제11항에서,상기 표면 개질하는 단계는상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체용 수소 결합성 유기 리간드를 포함한 혼합 분산액을 준비하는 단계, 그리고상기 혼합 분산액을 초음파 처리하는 단계 를 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제12항에서,상기 혼합 분산액은 N,N-디에틸포름아마이드를 더 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제11항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체용 수소 결합성 유기 리간드는 히드록시기(OH), 아민기(NH2), 티올기(SH) 또는 이들의 조합에서 선택된 수소 결합성 작용기로 치환된 벤젠 고리 또는 축합 다환 방향족 고리를 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제14항에서,상기 벤젠 고리 또는 상기 축합 다환 방향족 고리는 6개의 수소 결합성 작용기를 가지는 화학저항물질의 제조 방법.

제11항에서,상기 이차원 금속-유기 골격체용 금속 전구체는 Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Zn2+, Mg2+ 또는 이들의 조합에서 선택된 금속 양이온과 카운터 음이온을 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제11항에서,상기 시드 매개 성장은 상기 표면 개질된 상기 삼차원 금속-유기 골격체와 상기 이차원 금속-유기 골격체용 금속 전구체의 혼합물을 40℃ 내지 100℃로 열처리하는 단계를 포함하는 화학저항물질의 제조 방법.

제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 화학저항물질을 포함하는 화학저항 센서.

제18항에서,상기 화학저항 센서는 황화수소를 감지하는 가스 센서인 화학저항 센서.

제18항에 따른 화학저항 센서를 포함하는 장치.