제9항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체.

다음을 포함하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법:(a) 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets) 및 아지드 기(azide group)를 포함하는 광가교제를 포함하는 잉크 조성물을 준비하는 단계;(b) 기판 위에 상기 잉크 조성물을 도포하여 반도체 나노판상구조체 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 반도체 나노판상구조체 박막에 광을 조사하여 박막을 경화시키는 단계; 및(d) 상기 (b) 및 (c) 단계를 반복하여 반도체 나노판상구조체 박막을 적층하여, 다층 반도체 나노판상구조체를 제조하는 단계.

제1항에 있어서, 상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.[화학식 1]

제1항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 코어/쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

제3항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 CdSe/CdZnS를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 나노판상구조체에 대한 상기 광가교제의 무게 비율은 3 wt% 내지 15 wt%인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 나노판상구조체의 농도는 2 mg/ml 내지 15 mg/ml인 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는 250 nm 내지 260 nm의 파장의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 (d) 단계를 2회 내지 5회 반복하여, 나노판상구조체가 면내 방향(in-plane) 페이스다운(face-down) 상태로 배열되어 2층 내지 5층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체의 제조 방법.

기판; 및 상기 기판 위에 비등방성을 갖는 반도체 나노판상구조체가 적층되어 있고, 상기 반도체 나노판상구조체는 아지드 기(azide group)를 포함하는 광가교제에 의해 가교되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체(semiconductor nanoplatelets).

제9항에 있어서, 상기 광가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체.[화학식 1]

제9항에 있어서, 상기 반도체 나노판상구조체는 면내 방향(in-plane) 페이스다운(face-down) 상태로 배열되어 2층 내지 5층으로 적층된 것을 특징으로 하는 다층 반도체 나노판상구조체.

제9항 내지 제12항 중 어느 한 항의 다층 반도체 나노판상구조체; 및 전극을 포함하는 전계발광소자(electroluminescence device).