양자점 리간드 가교제, 이를 포함하는 양자점 잉크 조성물, 및 이를 이용하여 제조된 양자점 패턴
QUANTUM DOT LIGAND CROSSLINKING AGENT, QUANTUM DOT INK COMPOSITION INCLUDING THE SAME, AND QUANTUM DOT PATTERN PREPARED USING THE SAME
특허 요약
본원은 양자점 리간드 가교제, 이를 포함하는 양자점 잉크 조성물, 및 이를 이용하여 제조된 양자점 패턴에 관한 것이다.
청구항
번호청구항
1

하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는, 양자점 리간드 가교제 및 양자점 화합물을 포함하는, 양자점 잉크 조성물:[화학식 1] (A)a-L-(B)b,상기 화학식 1에서,a 및 b는, 2≤a+b≤6, a≥1, 및 b=0를 동시에 만족하는 것이고,L은 , , 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형의 C1-20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-20의 시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 선형 또는 분지형의 C1-20의 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-20의 헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-20의 아릴렌기, 및 치환 또는 비치환된 C5-20의 헤테로아릴렌기 중에서 선택되는 것이고, 상기 헤테로알킬렌기, 헤테로시클로알킬렌기, 및 헤테로아릴렌기에 포함되는 헤테로 원자는 N, O, S, 및 P에서 선택되는 것이고,A는 하기 화학식 2로서 표시되는 것이고,[화학식 2],B는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로서 표시되는 것이고,[화학식 3],[화학식 4],상기 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4에서,파선은 결합 부위를 표시한 것이고,m은 0 내지 5의 정수이고, n은 1 내지 3의 정수이고,o는 0 내지 2의 정수이고,p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이고,s는 0 또는 1이고,X는 수소, 선형 또는 분지형의 C1-4의 알킬기, 할로겐기, -CN, -NO2, -OR1, -SR1, 또는 -NR1R2이며,R1 및 R2는, 각각 독립적으로, -H, 선형 또는 분지형의 C1-6의 알킬기, 또는 페닐기이거나; 또는 서로 연결된 치환 또는 비치환된 C2-8의 고리형 알킬기로서 -NR1R2는 질소를 하나 이상 포함하는 고리형 아미노기이고,Y는 -O-, -S-, 또는 -NH-이며,Z는 선형 또는 분지형의 C1-20의 알킬렌기, 또는 선형 또는 분지형의 C1-20의 알킬렌옥사이드기임.

2

제 1 항에 있어서,상기 A는 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로서 표시되는 것인, 양자점 잉크 조성물:[화학식 2-1],[화학식 2-2], 상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서,X는 -F, -Cl, -Br, -I, , 또는 이고,Y는 -O-, -S-, 또는 -NH-임.

3

제 1 항에 있어서,상기 L은 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기 또는 페닐렌기인 것인, 양자점 잉크 조성물.

4

제 1 항에 있어서,상기 양자점 리간드 가교제는 , , , , 및 중에서 선택되는 화합물을 하나 이상 포함하는 것인, 양자점 잉크 조성물.

5

삭제

6

제 1 항에 있어서, 상기 양자점 잉크 조성물은 100℃ 내지 300℃의 열원에 의하여 가교 반응이 수행되는 것인, 양자점 잉크 조성물.

7

제 1 항에 있어서, 상기 양자점 잉크 조성물은 자외선 또는 가시광선인 광원에 의하여 가교 반응이 수행되는 것인, 양자점 잉크 조성물.

8

제 7 항에 있어서, 상기 자외선은 300 nm 내지 380 nm의 파장대역인 것인, 양자점 잉크 조성물.

9

제 1 항에 따른 양자점 잉크 조성물을 가교하여 형성되는, 양자점 패턴.