기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에 알루미늄 및 탄소를 동시에 증착하여 알루미늄-탄소 복합재 박막을 형성하는 단계;를 포함하는,알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막을 형성하는 단계는,알루미늄 타겟 및 탄소 타겟을 준비하는 단계; 및상기 알루미늄 타겟 및 상기 탄소 타겟을 이용하여 동시에 물리기상 증착하는 단계;를 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막을 형성하는 단계는, 알루미늄 타겟 및 탄소 타겟의 각 표면에서 불순물을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막의 두께는, 10 nm 내지 10 μm 인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 탄소는, 상기 알루미늄-탄소 복합재 박막 중 0 at% 초과 내지 50 at%인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 기판은, 실리콘 웨이퍼; 및 상기 실리콘 웨이퍼 상에 실리콘 질화물층;을 포함하고,상기 질화물층은 화학기상 증착막이고,상기 질화물층의 두께는, 20 nm 내지 2000 nm인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 물리기상 증착은, 스퍼터링 증착법, 열증착법 및 전자빔 증착법 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 알루미늄 타겟은, 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 이 둘 모두를 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 탄소 타겟은, 그라파이트, 풀러렌 또는 이 둘을 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 물리기상 증착하는 단계는 스퍼터링 증착법을 이용하는 것이고, 상기 알루미늄 타겟의 공급 전력은 20 W 내지 3000 W이고,상기 탄소 타겟의 공급 전력은 상기 알루미늄 타겟의 공급 전력보다 낮은 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 스퍼터링 증착법에서 상기 알루미늄 타겟 : 상기 탄소 타겟의 공급 전력비는, 1 (초과) : 1 내지 50 : 1인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

제10항에 있어서,상기 스퍼터링 증착법에서 상기 알루미늄 타겟은 DC 건이 장착되는 것이고, 상기 탄소 소스 타겟은 RF 건이 장착되는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막의 제조방법.

알루미늄 및 탄소의 동시 증착으로 형성된 박막이고, 상기 탄소는, 알루미늄 모재의 격자 내에 고용되고, 알루미늄-탄소 복합재 박막 중 0 at% 초과 내지 50 at%인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막.

제13항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막은, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막.

제13항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막의 XRD 회절 패턴에서 주피크는, 37.5 ° 내지 39.5 ° (2θ 회절각)의 피크 및 37.0 ° 내지 39.0 ° (2θ 회절각)의 피크를 포함하는 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막.

제13항에 있어서,상기 알루미늄-탄소 복합재 박막의 두께는,10 nm 내지 10 μm 인 것인, 알루미늄-탄소 복합재 박막.