유-무기 하이브리드 박막 기반 저항 변화 메모리 소자
Resistive random access memory device based on organic-inorganic hybrid thin film
특허 요약
저항 변화 메모리 소자에 있어서 저항 변화층이 하이브리드 박막인 메모리 소자에 관한 것으로, 유-무기 하이브리드 박막이 금속 산화물과 금속 수산화물 중 어느 하나 이상과 고분자 매트릭스를 포함하고, 금속 산화물과 금속 수산화물이 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어 있는 저항 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이의 저항 변화층으로 구성된 저항 변화 메모리로서,상기 저항 변화층은 유-무기 하이브리드 박막이고,상기 유-무기 하이브리드 박막은 금속 산화물 및 금속 수산화물 중 적어도 하나와 고분자 매트릭스를 포함하고, 상기 금속 산화물, 상기 금속 수산화물, 또는 상기 금속 산화물과 금속 수산화물은 상기 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어 있으며,상기 금속 산화물의 금속 함량 및 상기 금속 수산화물의 금속 함량의 합이 17% 이상인, 저항 변화 메모리 소자. |
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| 11 | 제1항에 있어서,상기 금속 산화물과 상기 고분자 매트릭스의 화학 결합 형태는 금속-산화물(A-O)이고, 상기 금속 수산화물과 상기 고분자 매트릭스의 화학 결합 형태는 금속-수산화물(A-OH)인 저항 변화 메모리 소자.(상기 A는 금속이다.) |
| 12 | 제1항에 있어서,상기 저항 변화층의 컨덕턴스 특성이 상기 금속 산화물의 금속 함량 및 상기 금속 수산화물의 금속 함량의 합에 의해 제어되는 저항 변화 메모리 소자. |
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| 14 | 제1항에 있어서,상기 유-무기 하이브리드 박막은 개시제를 이용한 기상 증착법(iCVD)을 통해 형성되는 저항 변화 메모리 소자. |
