소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터
Soft Memristor for Soft Neuromorphic System
특허 요약
본 발명의 일 실시예에 따른 소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 형성된 금속 확산 방지 저항층; 상기 금속 확산 방지 저항층 상에 형성된 저항변화 물질층; 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함할 수 있다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 기판;상기 기판 상에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성된 금속 확산 방지 저항층;상기 금속 확산 방지 저항층 상에 형성된 저항변화 물질층; 및상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2 전극층을 포함하고,상기 금속 확산 방지 저항층은 필라멘트 타입 소프트 멤리스터 내에 형성된 금속 필라멘트의 크기를 제어하여, 필라멘트 끝 부분이 점진적으로 얇아지면서 멀티 레벨의 아날로그 스위칭이 일어나게 하며,상기 기판은 플렉서블 기판이고, 상기 저항변화 물질층은 고분자가 증착된 고분자 절연막인 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터. |
| 2 | 제 1 항에 있어서,상기 금속 확산 방지 저항층은,Si2N3, TiN, 그래핀 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터. |
| 3 | 삭제 |
| 4 | 제 2 항에 있어서,상기 금속 확산 방지 저항층에 의한 전압 분배로 인해 시냅틱 강화와 억제를 위한 펄스 전압에 대해 대칭적 시냅틱 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터. |
| 5 | 제 1 항에 있어서,상기 기판은,PMMA, PC, PES, PAR, PI, PET, PEN 및 PEEK 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터. |
| 6 | 제 1 항에 있어서,상기 고분자는, poly(cyclosiloxane), poly(FMA), poly(IBC), poly(EGDMA) 및 poly(V3D3) 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터. |
