제1항에 있어서, 상기 외력은 플라즈마, 열, 초음파, 자기장, 기계적 힘을 포함한 그룹 중 어느 하나인,박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.

모기판 상에 상변화물질 및 버퍼층을 순차적으로 증착하는 단계;외력에 의해 상기 상변화물질 상으로 응력이 인가되고, 상기 상변화물질의 상이 변화되는 단계;상기 버퍼층 상부에 제작된 전자소자 상에 캐리어 기판을 부착하여 물리적으로 소자를 박리하는 단계; 및상기의 박리된 전자소자를 타겟 기판에 부착한 뒤, 상기 캐리어 기판을 제거하여 유연 전자소자를 제작하는 단계;를 포함하고,상기 버퍼층을 이용한 상기 상변화물질 상으로의 응력 인가 과정에서, 상기 상변화물질의 상부 표면 상에 변화가 발생하고, 이를 통해 상기 상변화물질 중 변화가 발생한 상부층이 하부층으로부터 분리되어 상기 버퍼층 및 전자소자를 분리하는 것을 특징으로 하는,박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 상변화 물질은 몰리브덴(Mo) 또는 텅스텐(W)을 포함하는 물질인,박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.

제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 옥사이드, 나이트라이드 및 옥사이드와 나이트라이드의 조합물을 포함한 그룹 중 어느 하나인,박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.

제1항에 있어서,상기 버퍼층 상부 상에 전자소자의 제작은,응력 인가 전 또는 상기 상변화물질의 상 변화 후에 이루어지는,박막의 상변화를 이용한 물리적 박리를 통한 유연 전자소자의 제조 방법.