수산기를 포함하는 유기 고분자 매트릭스 및상기 수산기를 포함하는 유기 고분자 매트릭스 내 균일하게 분산된 금속 산화물을 포함하는 유무기 절연막으로서,상기 금속 산화물은 상기 수산기를 포함하는 유기 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어, 원자 단위로 분산되어 있고,상기 유무기 절연막은 20 nm 이하의 두께에서 10-7 A/cm2 이하의 누설전류(2 MV/cm) 값을 갖는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 상기 금속 산화물의 금속 원자는 산소를 매개로 상기 수산기를 포함하는 유기 고분자 매트릭스와 결합된 것인, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 1kHz에서 6 이상의 유전 상수를 가지는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 2.5% 초과의 구부러짐 스트레스에서 누설 전류 값이 유지되는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 상기 유무기 절연막은 0.5 nm 이하의 Rq를 가지는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 20 nm 이하의 두께에서 300 nF/cm2 이상의 커패시턴스 값을 가지는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 10 nm 이하의 두께에서 600 nF/cm2 이상의 커패시턴스 및 10-6 A/cm2 이하의 누설전류(2 MV/cm) 값을 가지는, 유무기 절연막.

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제1항에 있어서, 상기 수산기를 포함하는 유기 고분자 매트릭스는 아크릴레이트계 고분자 및/또는 메타크릴레이트계 고분자를 포함하는, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 및 티타늄 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상인, 유무기 절연막.

제1항에 있어서, 게이트용 절연막으로 사용되는, 유무기 절연막.

단량체, 개시제, 및 유기금속 전구체를 기상 혼합시키는 단계;상기 개시제로부터 라디칼을 형성하는 단계; 및상기 유기금속 전구체로부터 금속산화물이 형성되되, 상기 단량체가 중합되면서 형성되는 고분자에 상기 금속산화물이 화학적으로 결합되면서 원자 단위로 분산되어, 막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 단량체는 비닐기 및 수산기(hydroxyl group)를 포함하고,상기 개시제는 과산화물, 벤조피논계, 티옥산톤계, 벤조인계, 벤조인알킬에테르계 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는, 유무기 절연막 제조방법.

제12항에 있어서, 상기 제조방법은 가열된 반응기에서 수행되는, 유무기 절연막 제조방법.

제12항에 있어서, 상기 막은 기판상에 형성되는, 유무기 절연막 제조방법.

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제12항에 있어서, 상기 단량체는 아크릴레이트계 단량체 및/또는 메타크릴레이트계 단량체를 포함하는, 유무기 절연막 제조방법.

제12항에 있어서, 상기 유기금속 전구체는 알킬기로 치환된 아민기를 유기기로 포함하는, 유무기 절연막 제조방법.

제12항에 있어서, 상기 개시제는 열 개시제 및 광 개시제 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는, 유무기 절연막 제조방법.

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제12항 내지 제14항 및 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 제조된 유무기 절연막.

제20항에 있어서, 게이트용 절연막으로 사용되는, 유무기 절연막.