| 번호 | 청구항 |
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| 18 | 청구항 17에 있어서,아연소스는 스테아르산 아연 및 아세트산 아연 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 4 | 청구항 1에 있어서, 인듐전구체는 염화인듐(InCl3)인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 5 | 청구항 1에 있어서, 아민화합물은 올레일아민인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 청구항 1에 있어서, 제1단계는 200℃ 내지 300℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 8 | 청구항 1에 있어서, 인화인듐결정은 크기가 1nm 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 9 | 청구항 1에 있어서, 인화인듐결정은 구형인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 10 | 청구항 1에 있어서, 제1단계에서 아연전구체가 첨가되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 11 | 청구항 10에 있어서, 인화인듐결정은 InZnP인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 12 | 청구항 10에 있어서, 아연전구체를 추가하지 않은 InP의 크기는 아연전구체를 추가한 InZnP보다 큰 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 13 | 청구항 10에 있어서, 인화인듐결정의 크기는 첨가되는 아연전구체의 농도에 의존하는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 14 | 청구항 10에 있어서, 인화인듐결정의 크기는 3nm 내지 5nm인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 15 | 청구항 10에 있어서, 아연전구체는 ZnCl2인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 16 | 청구항 1에 있어서, 인화인듐결정 외부에 황화아연(ZnS) 쉘을 형성하는 제3단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 17 | 청구항 16에 있어서,제3단계는 아연소스 및 황소스를 추가하여 인화인듐결정과 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 1 | 반응용매 내에서, 인듐전구체 및 아민화합물을 반응시켜 인듐-리간드 복합체를 형성하는 제1단계; 및 인듐-리간드 복합체와 포스파이트 화합물을 반응시켜 인화인듐결정을 제조하는 제2단계;를 포함하는 인화인듐결정 제조방법으로서,포스파이트화합물은 트리페닐 포스파이트(P(OPh)3)인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 2 | 청구항 1에 있어서, 반응용매는 아민계 용매인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 3 | 청구항 2에 있어서, 반응용매는 트리옥틸아민인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
| 19 | 청구항 17에 있어서,황소스는 옥타데신-S(octadecene-sulfur, ODE-S), 트리옥틸포스핀-S(trioctylphosphine-sulfur, TOP-S), 1-도데칸티올(1-dodecanthiol, DDT) 및 원소 황(elemental sulfur) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인화인듐결정 제조방법. |
