| 번호 | 청구항 |
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| 1 | (a) 기판 (100);(b) 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극층 (110);(c) 상기 제1전극층 상에 형성된 선택소자 물질층 (120);(d) 상기 선택소자 물질층 상에 형성된 제2 전극층 (130);(e) 상기 제2 전극층 상에 형성된 제3 전극층 (140);(f) 상기 제3 전극층 상에 형성된 저항변화 물질층 (150);(g) 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제 4전극층 (160);을 포함하는 소프트 멤리스터 소자에 있어서,상기 기판은 PES, PI 및 PET의 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하며,상기 저항변화 물질층은 고분자가 증착된 고분자 절연막이며,상기 선택소자 물질층은 IZTO이며,상기 제2 전극층(130) 및 제3 전극층(140)은 서로 상이한 전자친화도를 가지는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터 소자. |
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| 3 | 제1항에 있어서,상기 제 1전극층(110), 제2전극층(130), 제3전극층(140) 및 제4전극층(160)은 Cu, Ni, Ti, Hf, Zr, ZN, W, Co, V, Al, Ag, C, Pd, Pt 및 ITO의 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터 소자. |
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| 5 | 제1항에 있어서,상기 고분자는 poly(cyclosiloxane), poly(FMA), poly(IBC), poly(EGDMA) 및 poly(V3D3)의 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 소프트 멤리스터 소자. |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제1항, 제3항, 제5항 중 어느 한 항의 소프트 멤리스터 소자를 포함하는 병렬 컴퓨팅 장치. |
| 8 | 제7항에 있어서상기 병렬 컴퓨팅 장치는 상기 소프트 멤리스터 소자가 크로스바 어레이로 집적된 것을 특징으로 하는 병렬 컴퓨팅 장치. |
