| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 화합물 반도체를 함유하는 코어; 상기 코어를 둘러싸는 쉘;상기 쉘을 둘러싸고, 상기 화합물 반도체와 상이한 제2 화합물 반도체를 포함하는 제2 쉘; 및상기 제2 쉘을 둘러싸는 제3 쉘을 포함하고,상기 쉘은 밴드갭(bandgap)이 3.5 eV 이상이고, 코어에 함유된 화합물 반도체와의 전도대 오프셋(conduction band offset)(ΔECB)과 코어에 함유된 화합물 반도체와의 가전자대 오프셋(valence band offset)(ΔEVB)의 합(ΔECB+ΔEVB)이 3 eV 이상인 (준)금속산화물을 함유하는 함유하고,상기 제2 쉘은 상기 코어의 에너지 밴드갭보다 0.5 내지 4 eV 더 넓은 에너지 밴드갭을 갖고,상기 제3 쉘은 상기 (준)금속산화물과 동일 또는 상이한 제2 (준)금속산화물을 포함하는 것인, 반도체 나노 결정. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/r1)는 0.05 내지 5인 반도체 나노 결정. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 코어와 쉘은 격자 상수(lattice constant) 차이가 - 30 내지 30 % 범위인 반도체 나노 결정. |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 쉘은 상기 코어와의 경계로부터 쉘의 표면 측으로 갈수록 연속적으로 증가하는 (준)금속산화물의 함유율을 갖는 반도체 나노 결정. |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 삭제 |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 상기 쉘과 제2 쉘의 전체 두께(t1+t2)의 비[(t1+t2)/r1]가 0.3 내지 10 범위이고,상기 제2 쉘의 두께(t2)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/t2)는 0.1 내지 5 범위인 반도체 나노 결정. |
| 8 | 삭제 |
| 9 | 제1항에 있어서, 상기 제3 쉘의 두께(t3)는 0.5 내지 5 ㎚ 범위인 반도체 나노 결정. |
| 10 | 제1항에 있어서,입경이 1 내지 20 ㎚ 범위인 반도체 나노 결정. |
| 11 | 표시 기판;상기 표시 기판 상에 배치된 광량 조절층; 및상기 광량 조절층 상에 배치되고 반도체 나노 결정을 포함하는 색 변환층을 포함하며,상기 반도체 나노 결정은화합물 반도체를 포함하는 코어, 상기 코어를 둘러싸고, (준)금속산화물을 함유하는 쉘,상기 쉘을 둘러싸고, 상기 화합물 반도체와 상이한 제2 화합물 반도체를 포함하는 제2 쉘, 및상기 제2 쉘을 둘러싸는 제3 쉘을 포함하고, 상기 (준)금속산화물은 밴드갭(bandgap)이 3.5 eV 이상이고, 코어에 함유된 화합물 반도체와의 전도대 오프셋(conduction band offset)(ΔECB)과 코어에 함유된 화합물 반도체와의 가전자대 오프셋(valence band offset)(ΔEVB)의 합(ΔECB+ΔEVB)이 3 eV 이상이고,상기 제2 쉘은 상기 코어의 에너지 밴드갭보다 0.5 내지 4 eV 더 넓은 에너지 밴드갭을 갖고,상기 제3 쉘은 상기 (준)금속산화물과 동일 또는 상이한 제2 (준)금속산화물을 포함하는 것인, 표시 장치. |
| 12 | 제11항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/r1)는 0.05 내지 5 범위인 표시 장치. |
| 13 | 삭제 |
| 14 | 제11항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 상기 쉘과 제2 쉘의 총 두께(t1+t2)의 비[(t1+t2)/r1]가 0.3 내지 5 범위이고,상기 제2 쉘의 두께(t2)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/t2)는 0.1 내지 5 범위인 표시 장치. |
| 15 | 삭제 |
| 16 | 베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 배치된 유기 발광 소자; 및 상기 유기 발광 소자 상에 배치되고 반도체 나노 결정을 포함하는 색 변환층을 포함하고,상기 반도체 나노 결정은화합물 반도체를 포함하는 코어, 상기 코어를 둘러싸고, (준)금속산화물을 함유하는 쉘,상기 쉘을 둘러싸고, 상기 화합물 반도체와 상이한 제2 화합물 반도체를 포함하는 제2 쉘, 및상기 제2 쉘을 둘러싸는 제3 쉘을 포함하고, 상기 (준)금속산화물은 밴드갭(bandgap)이 3.5 eV 이상이고, 코어에 함유된 화합물 반도체와의 전도대 오프셋(conduction band offset)(ΔECB)과 코어에 함유된 화합물 반도체와의 가전자대 오프셋(valence band offset)(ΔEVB)의 합(ΔECB+ΔEVB)이 3 eV 이상이고,상기 제2 쉘은 상기 코어의 에너지 밴드갭보다 0.5 내지 4 eV 더 넓은 에너지 밴드갭을 갖고,상기 제3 쉘은 상기 (준)금속산화물과 동일 또는 상이한 제2 (준)금속산화물을 포함하는 것인, 유기발광 표시 장치. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/r1)는 0.5 내지 5 범위인 유기발광 표시 장치. |
| 18 | 삭제 |
| 19 | 제16항에 있어서,상기 코어의 반경(r1)에 대한 상기 쉘과 제2 쉘의 총 두께(t1+t2)의 비[(t1+t2)/r1]가 0.3 내지 10 범위이고,상기 제2 쉘의 두께(t2)에 대한 쉘의 두께(t1)의 비(t1/t2)는 0.1 내지 5 범위인 유기발광 표시 장치. |
| 20 | 삭제 |
