| 번호 | 청구항 |
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| 7 | 제 1항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 상기 반도체 채널 소재 상에서 증착된 단량체로부터 라디칼 중합된 고분자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자. |
| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 전이금속 디칼코겐나이드 물질은 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2, WSe2 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 9 | 제 1항에 있어서,상기 고분자는 poly(cyclosiloxane)), poly(FMA), poly(IBC), poly(EGDMA) 및 poly(V3D3)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 1 | 기판;상기 기판 상에 형성되며, 댕글링 본드가 없는 전이금속 칼케고나이드 화합물을 포함하는 반도체 채널 소재;상기 반도체 채널 소재에 전기적으로 연통 가능하게 형성된 소스/드레인 전극; 상기 반도체 채널 소재 상에 개시체를 이용한 화학기상증착법으로 증착 형성된 터널링 절연막; 상기 터널링 절연막의 상면 상에 형성된 전하 저장층;상기 전하 저장층의 상면 상에 형성된 블로킹(blocking) 절연막; 및상기 블로킹(blocking) 절연막의 상면 상에 형성된 게이트 전극;을 포함하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 소자의 커플링비(coupling ratio)는 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자. |
| 3 | 제 2항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 저유전율의 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 4 | 제 3항에 있어서, 상기 터널링 절연막의 유전율은 상기 블록킹 절연막보다 낮은 유전율을 갖는 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 5 | 제 4항에 있어서, 상기 터널링 절연막의 유전율은 2.3k 이하인 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자. |
| 6 | 제 3항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 5 내지 10nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자. |
| 10 | 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상면 상에 댕글링 본드가 없는 전이금속 디칼코케나이드 화합물을 포함하는 반도체 채널 소재를 형성하는 단계;기판 상에서 상기 반도체 채널 소재 상에 전기적으로 연결되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 반도체 채널 소재와 소스/드레인 전극를 전체적으로 덮는 상태로 터널링 절연막을 라디칼 중합 방식으로 증착하는 단계; 상기 터널링 절연막의 상면 상에 전하 저장층을 적층하는 단계; 상기 전하 저장층의 상에 상기 터널링 절연막보다 높은 유전율을 갖는 블로킹(blocking) 절연막을 적층하는 단계; 및 상기 블로킹(blocking) 절연막의 상에 형성된 게이트 전극;을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조방법. |
| 11 | 제 10항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 화합물은 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, MoTe2, WTe2, WSe2 로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 어느 하나인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법. |
| 12 | 제 11 항에 있어서,상기 터널링 절연막은 고분자를 포함하는 절연막으로서, 상기 고분자는 poly(cyclosiloxane), poly(FMA), poly(IBC), poly(EGDMA) 및 poly(V3D3) 로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법. |
