유기 단량체가 중합된 유기 고분자 화합물이 유기금속 전구체와 화학 결합으로 가교된 유-무기 복합체를 포함하는 단일층의 유-무기 하이브리드 필름이고,상기 화학 결합은 Me-(O, S, 또는 N)-C 결합을 포함하고,상기 단일층의 내부에 상기 화학결합이 존재하는,유-무기 하이브리드 필름.(상기 Me는 상기 유기금속 전구체의 금속이다.)

제 1항에서,상기 유-무기 복합체에서, 상기 유기금속 전구체의 금속과 탄소의 함량은 아래 식 1을 만족하는 것인,유-무기 하이브리드 필름.[식 1]0003c#ZMe/Zc≤1.20(상기 식 1에서, ZMe는 상기 유-무기 복합체를 구성하는 원소들의 총 원자 100원자%에 대한 금속의 원자%이고, Zc는 상기 유-무기 복합체를 구성하는 원소들의 총 원자 100원자%에 대한 탄소의 원자%이다.)

제 1항에서,상기 유-무기 복합체에서, 상기 유기금속 전구체의 금속의 함량은, 상기 유-무기 복합체를 구성하는 원소들의 총 원자 100원자%에 대하여, 25원자% 이하인 것인,유-무기 하이브리드 필름.

제 1항에서,상기 유기 단량체는, 하기 구조식 1로 표시되는 것이고,상기 유기금속 전구체는 알킬(alkyl)기를 포함하는 것인,유-무기 하이브리드 필름.[구조식 1](상기 구조식 1에서, R1은 수소, 또는 C1 내지 C10의 치환 또는 비치환된 알킬기이고, R2는 히드록실기, 싸이올기, 또는 아미노기로 치환된 C1 내지 C10의 알킬기이다.)

제 4항에서,상기 유기금속 전구체는 하기 구조식 3으로 표시되는 것인,유-무기 하이브리드 필름.[구조식 3](상기 구조식 3에서, Me는, Al, Y, In, 및 La으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속이고, R6 내지 R8은 각각 독립적으로 C1 내지 C4의 알킬기이다.)

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제 5항에서,상기 화학 결합은 Me-(O, S, 또는 N)-Me-(O, S, 또는 N)-C 결합을 포함하는 것인,유-무기 하이브리드 필름.

제 1항에서,표면조도 Rq는 0.800nm 이하이고, Ra는 0.500nm이하인 것인,유-무기 하이브리드 필름.

제 1항에서,상기 화학결합은 상기 단일층의 내부에 불규칙적으로 분산되어 존재하는,유-무기 하이브리드 필름.

기판이 장입된 챔버에 기화된 유기 단량체, 유기금속 전구체, 및 개시제를 동시에 주입하면서 열을 가해, 유기 단량체가 중합된 유기 고분자 화합물이 유기금속 전구체와 화학 결합으로 가교되고, 상기 화학 결합은 Me-(O, S, 또는 N)-C 결합을 포함하는 것인 유-무기 복합체를 포함하며, 내부에 상기 화학결합이 존재하는 단일층의 유-무기 하이브리드 필름을 제조하는 단계를 포함하는,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.(상기 Me는 상기 유기금속 전구체의 금속이다.)

제 10항에서,상기 기판의 온도는 10℃ 이상 200℃이하인 것인,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.

제 10항에서,상기 유기 단량체의 주입 유량에 대한 상기 유기금속 전구체의 주입 유량은,0.5/1 이상 4/1 이하인 것인,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.

제 10항에서,상기 유-무기 하이브리드 필름을 제조하는 단계 이후에,상기 제조된 유-무기 하이브리드 필름을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.

제 13항에서,상기 제조된 유-무기 하이브리드 필름을 열처리하는 단계에서,열처리 온도는 60℃ 이상 250℃ 이하인 것인,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.

제 10항에서,상기 단일층의 유-무기 하이브리드 필름은 내부에 상기 화학결합이 불규칙적으로 분산되어 존재하는 것인,iCVD 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 필름의 제조 방법.

제 1항 내지 제 5항, 및 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 유-무기 하이브리드 필름을 포함하는, 절연막.

제 1항 내지 제 5항, 및 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 유-무기 하이브리드 필름을 포함하는, 봉지막.