기판(100);상기 기판(100) 상에 적층되는 절연막(110);상기 절연막(110) 상에 형성되는 하부 전극(120);상기 하부 전극(120) 상에 형성되는 하부 저항변화막(130);상기 하부 저항변화막(130)의 상부 방향으로 이격된 상태로 배치되는 상부 저항변화막(150);상기 하부 저항변화막(130)과 상기 상부 저항변화막(150) 사이에 배치되는 전하저장층(140); 및상기 상부 저항변화막(150)의 상단에 접촉 배치되는 상부 전극(160);을 포함하고,상기 전하저장층(140)은 2차원 소재인 전이금속 칼코겐화합물이고, 상기 전하저장층(140)에 인가되는 전압을 조절하여 상기 전하저장층(140)에 저장된 전하의 양을 조절하여 다중 저항상태를 가지는 비휘발성 저항변화 메모리소자를 구현하고, 상기 상부/하부 저항변화막(150, 130)의 conduction band 또는 valence band의 에너지 레벨은 상기 전하저장층(140)의 conduction band 또는 valence band 보다 큰 값을 유지하고, 이를 통해서 상기 전하저장층(140)은 전하 저장을 할 수 있는,저항변화 메모리소자.

삭제

제 1 항에 있어서,상기 전하저장층(140)은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, 및 WTe2 등을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,저항변화 메모리소자.

제 1 항에 있어서,상기 상부/하부 저항변화막(150, 130)은 HfOx, TiOx, NiOx, SiOx, AlOx, Metal oxide 및 organic, polymer 저항변화 절연막 등을 포함하는 그룹 중 어느 하나인,저항변화 메모리소자.

제 4 항에 있어서,상기 하부 저항변화막(130)과 상부 저항변화막(150)은 서로 상이한,저항변화 메모리소자.

제 1 항에 있어서,상기 하부 전극(120) 및 상부 전극(160)은 상호 직교하는,저항변화 메모리소자.