| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 4 | 제1항에 있어서,질소 1몰(mol)에 대하여 붕소(B) 0.01∼2몰(mol) 및 인(P) 0.01∼2몰(mol)을 동시에 첨가하는 것을 특징으로 하는 제조방법. |
| 1 | 질소 이외에 붕소(B) 및 인(P)을 추가로 첨가하고 열처리하여 질소가 도핑된 탄소 촉매의 산성 조건에서 산소 환원 반응성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 탄소 촉매의 제조방법. |
| 2 | 삭제 |
| 3 | 삭제 |
| 5 | 제1항에 있어서,붕소(B)는 붕산(boric acid), 트리페닐보레인(triphenylborane, B(C6H5)3), 산화붕소(boron oxide), 붕소(boron) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법. |
| 6 | 제1항에 있어서,인(P)은 인산(phosphoric acid, H3PO4), 트리페닐포스파인(triphenylphosphine, P(C6H5)3), 산화인(phosphorus oxide), 인(phosphorous) 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,열처리는 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 질소(N2) 중에서 선택된 어느 하나의 기체 하에서 800∼1000℃의 온도에서 1∼5시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서,질소가 도핑된 탄소 촉매의 산소 환원 반응성 증가는 탄소 촉매의 과산화수소 생성이 억제되는 특성, 탄소 촉매의 전기전도도를 증가시켜 주는 특성, 탄소 촉매에 산소 흡착이 용이하게 할 수 있는 전자의 비편재화(delocalization) 특성, 탄소 촉매의 에지 사이트(edge site)가 증가되는 특성 중에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법. |
| 9 | 청구항 제1항, 제4항 내지 제8항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조한 질소 이외에 붕소(B) 및 인(P)이 추가로 도핑된 탄소 촉매. |
| 10 | 청구항 제1항, 제4항 내지 제8항 중에서 선택된 어느 한 항의 방법에 의해 제조한 질소 이외에 붕소(B) 및 인(P)이 추가로 도핑된 탄소 촉매를 연료 전지용 양극 촉매로 사용하는 방법. |
| 11 | 제10항에 있어서,연료 전지는 직접 알코올 연료전지 또는 고분자 전해질 막 연료전지인 것을 특징으로 하는 방법. |