저항 변화 메모리
RESISTOR RANDOM ACCESS MEMORY
특허 요약
본 발명은 저항 변화 메모리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저항 변화 메모리는 제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 제1 전극과 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부 및 제2 전극과 제3 전극 사이에 형성되고, 제2 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 메모리부의 데이터 판독 시 메모리부의 저항 값에 따라 제1 전극과 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 두 개의 저항 변화 물질층 중 하나를 스위치로 이용함으로써, 기존의 다이오드 또는 트랜지스터와 같은 스위칭 소자들에 비해 작은 면적에서도 큰 전류를 흘릴 수 있으며, 빠른 스위칭이 가능하다. 또한, 메모리 셀의 구조 자체도 간단하여 집적도 면에서 매우 유리하며, 크로스바(crossbar) 구조의 메모리 어레이에서 발생할 수 있는 인접소자 간의 간섭현상을 제거할 수 있다. 두 개의 직렬 연결된 저항변화메모리(twin-Resistor Random Access Memory, R2RAM), 비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 저항변화소자메모리(Resistance Random Access Memory)
청구항
번호청구항
1

제1 전극과 제2 전극 사이에 형성되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부; 및 상기 제2 전극과 제3 전극 사이에 형성되고, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 메모리부의 저항 값에 따라 상기 제1 전극 및 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함하는, 저항 변화 메모리.

2

제1항에 있어서, 상기 메모리부 및 상기 스위치부는 저항변화물질을 포함하고, 상기 저항변화물질은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 에르븀(Er) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리.

3

제1항에 있어서, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er) 및 백금(Pt) 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리.

4

기판상에서 이격되어 형성된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 상에 형성되고, 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되는 저항변화부; 및 상기 저항변화부상에 형성되되, 상기 저항변화부 중 상기 제1 전극과 인접한 영역 및 상기 제2 전극과 인접한 영역 사이에 형성된 제3 전극을 포함하고, 상기 저항변화부는, 상기 저항변화부 중 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이의 영역을 갖고, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 변화되는 저항 값에 따라 데이터를 저장하는 메모리부; 및 상기 저항변화부 중 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이의 영역을 갖고, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극 사이에 인가되는 전압에 따라 저항 값이 변화되고, 상기 메모리부의 데이터 판독 시 상기 메모리부의 저항 값에 따라 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전압에 의한 전류를 도통시키는 스위치부를 포함하는, 저항 변화 메모리.

5

제4항에 있어서, 상기 저항변화부는 저항변화물질을 포함하고, 상기 저항변화물질은, 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물 에르븀(Er) 산화물 및 바나듐(V) 산화물 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리.

6

제4항에 있어서, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 에르븀(Er) 및 백금(Pt) 중 하나 이상을 포함하는, 저항 변화 메모리.

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