차세대 다치레벨 로직-메모리 융합소자를 이용한 고신뢰성 저전력 저면적 컴퓨팅-인-메모리 회로 및 아키텍처 개발

2021과학기술정보통신부차세대지능형반도체기술개발(R&D)
프로젝트 소개
강유전체금속-강유전체-금속-절연체-반도체 구조 트랜지스터컴퓨팅 인 메모리딥 뉴럴네트워크강유전체 전하포ferroelectricmetal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor MFMIS FETcomputing in memorydeep neural networkFerroelectric and charge trap hybrid deviceHigh speed NAND flash deviceMemtransistorEdge AI
참여형태
주관
사업명
차세대지능형반도체기술개발(R&D)
부처명
과학기술정보통신부
주관기관명
연세대학
과제 수행연도
2021
과제 수행기간
2020.07.01 ~ 2023.02.28
과제 고유번호
1711130190
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
200,000,000 원
정부지원연구개발비
200,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
0 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관연세대학대학서울특별시
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL