프로젝트 소개
본 과제는 실리콘 나노구조체 소자에서 quasi-non-volatile memory 원리를 규명하고, 빠른 동작 속도와 긴 저장 시간을 함께 가지며 논리 연산 결과까지 기억하는 새로운 메모리 소자를 개발하는 연구임.
연구 목표는 SRAM/DRAM 수준의 동작 속도와 flash memory 수준의 저장 시간을 동시에 구현하고, 논리 연산이 가능한 quasi-non-volatile memory 배열 소자를 세계 최초로 구축하는 데 있음. TCAD 시뮬레이션과 실험데이터 분석으로 공정조건·구조를 최적화하고, 단일 소자와 RAM, inverter·NAND·NOR 게이트를 설계·제작함. 이를 통해 메모리와 연산의 경계를 낮추고, CMOS 공정 활용성 및 big data 처리 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대됨.