프로젝트 소개
본 과제는 400단 이상의 3D NAND 플래시 메모리에서 깊은 구멍(deep hole) 안에 절연막을 정확하게 입히기 위한 ALD(Atomic Layer Deposition) 시스템과 관련 공정을 개발하는 연구임.
연구 목표는 ALD 장비의 개발 계획 수립, 주요 부품 시뮬레이션 및 설계, 개발 장비 사양 확정, 그리고 CTN ALD 공정 평가 및 MANOS 구조 기반 3D NAND 플래시 메모리의 동작 특성 평가 기반을 구축하는 데 있음. 또한 동작 특성 시뮬레이션 분석 기반을 마련하는 것임. 핵심 연구 내용은 ALD 장비의 시뮬레이션, TM/PM 설계, 장납기 부품 발주를 포함함. 또한 CTN에 따른 3D NAND 플래시 메모리 동작 특성 평가 시스템 구축, MONOS(Metal / blocking oxide / CTN / tunnel oxide / Si) 구조의 각 요소 소재 선택 및 공정 설정, 그리고 3D NAND 플래시 메모리 동작 특성 모사 수준 평가를 수행하는 것임. 기대 효과는 장비 개발 계획의 선행 작업을 통해 하드웨어 개발의 차질을 방지하고, 시뮬레이션을 통해 개발의 정확도를 높여 시행착오를 줄이는 것임. 또한, 공정 개발에 필요한 평가 시스템을 미리 구축하고 모사 수준 평가를 통해 향후 개발 속도를 가속화하는 데 기여할 것으로 예상됨.