산화물 저항변화형 메모리를 이용한 적응학습형 뉴런 디바이스 구현

2015교육부이공학개인기초연구지원
프로젝트 소개
본 과제는 산화물 저항변화 메모리와 산화물반도체 TFT 구동회로를 한 칩에 모아, 학습 능력을 가진 시냅스 소자와 뉴런 디바이스를 구현하는 연구임. 연구 목표는 적응학습형 시냅스 소자의 동작 메커니즘 규명, 산화물 조성 탐색 및 신개념 소자 구조로 고성능화, 박막·소자 제조공정 최적화, TFT 집적 형태의 뉴런 디바이스 구동방법 도출로 요구 성능 만족에 있음. 기대효과로 병렬처리 뉴럴컴퓨팅, 하드웨어 기반 인공지능, 차세대 비휘발성 메모리 및 투명·유연 적응학습형 전자 구현, 신규 시장 및 지적재산권 조기 확보, 그린 일렉트로닉스 기여 기대됨.
저항변화형 메모리산화물반도체적응학습기능시냅스 디바이스뉴런 디바이스병렬처리 컴퓨팅비휘발성 메모리ResistivechangememoryOxidesemiconductoradaptivelearningSynapsedeviceNeurondeviceparallelcomputingNonvolatilememorySpiketimedependentplasticitymemristor
참여형태
주관
사업명
이공학개인기초연구지원
부처명
교육부
주관기관명
경희대학교
과제 수행연도
2015
과제 수행기간
2013.11.01 ~ 2016.10.31
과제 고유번호
1345239401
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
50,700,000
정부지원연구개발비
50,700,000
위탁연구비
0
민간연구비
0
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관경희대학교대학경기도
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL