프로젝트 소개
본 과제는 5G/6G 통신, 데이터 센터 등 초고속 광통신 시스템의 핵심 부품인 50Gbaud InGaAs APD(Avalanche Photodiode) 칩 및 모듈을 개발하는 연구임. APD는 미세한 빛 신호를 고속으로 전기 신호로 변환하는 센서로, InGaAs는 이러한 고성능을 위한 반도체 재료를 의미함.
연구 목표는 OE Bandwidth 35 GHz 이상, GBP 210 GHz 이상, Dark current 0.8 μA 이하의 50Gbaud InGaAs APD 칩과 전송속도 50Gbps 이상, Sensitivity -16dBm 이하의 APD-ROSA 모듈을 개발하고 고신뢰성을 확보하는 데 있음. 핵심 연구 내용은 APD 칩 구조 및 공정 설계, Guard ring 구조, Backside lens 개발, Flip-chip bonding 및 BCB-passivation 기술 개발 등을 포함함. 또한, 35GHz 이상 특성 구현을 위한 TO 패키지, FPCB, EVB 설계 제작 및 광 커플링 최적화, 50Gbaud APD-ROSA 제작이 주요 내용임. 기대 효과는 초고속 통신용 반도체 소자 기술 발전에 기여하고, 칩 기술 자립을 통한 가격 경쟁력 확보 및 수입대체 효과 창출, 5G/6G 통신 및 데이터 센터 핵심 부품 국산화로 국내 기술 위상 제고에 크게 기여할 것으로 전망됨.