프로젝트 소개
본 과제는 10nm급 반도체 소재 부품의 국산화를 목표로, Free-Si가 없는 저항 제어형 CVD 코팅 모재용 상압 소결 New-SiC 기술을 개발하는 연구임. 이는 반도체 제조 공정에서 사용되는 핵심 부품의 성능과 안정성을 높이기 위한 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 소재를 개발하는 것임.
연구 목표는 반도체 공정의 대구경화 및 선폭 미세화에 따라 고온 안정성과 내식성이 우수한 New SiC 및 CVD Coated New SiC 원천 소재 개발과 EPITAXY, DIFFUSION 공정용 핵심 부품 제조 기술 확보에 있음. 핵심 연구 내용은 New SiC 소재 양산화, 기계 가공 특성 분석, 조성 개발 및 저항 제어 기술 개발을 포함함. 또한, New SiC 기반 CVD Coating 기술 개발, 가공 및 정제 기술 최적화를 수행하며, EPITAXY 및 DIFFUSION 공정용 Susceptor와 Boat 설계 및 제조 기술을 통해 부품 형상 확보, 열적 특성 개선, 저저항 New SiC 특성 최적화를 추진함. 기대 효과는 Free-Si가 없고 전기저항 제어가 가능한 상압소결 New SiC 소재 개발로 국내 SiC 소재의 세계 시장 경쟁력 확보 및 수입 의존도 높은 고순도 SiC 원료 소재 대체에 기여하는 것임. 이를 통해 반도체 공정용 SiC 제품 제조 시 가공 비용 및 불량률 문제 해결과 함께 관련 산업 활성화 및 고용 창출 효과도 있을 것으로 전망됨.