3nm 이하급 게이트-올-어라운드 초미세 공정기반 저전압 저전력 SRAM 난제 해결을 위한 회로 개발
3nm 이하급 게이트-올-어라운드 초미세 공정기반 저전압 저전력 SRAM 난제 해결을 위한 회로 개발
2023
과학기술정보통신부
개인기초연구(과기정통부)
프로젝트 소개
정적메모리
사물지능향 시스템온칩
캐시메모리
초미세공정
공정미세화
게이트-올-어라운드 나노시트
고신뢰성 메모리
Static ramdom access memory-SRAM
AIoT SoC
Cache memory
Sub-3nm technology
Technology scaling
Gate-all-around Nanosheet
Low voltage and Low power SRAM
High reliability SRAM
High speed SRAM
참여형태
주관
사업명
개인기초연구(과기정통부)
부처명
과학기술정보통신부
주관기관명
연세대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2021.03.01 ~ 2024.02.29
과제 고유번호
1711190229
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
183,591,000 원
정부지원연구개발비
183,591,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
0 원
주관/협동기관 정보
주관/협동
수행기관명
연구수행주체
지역
주관
연세대학
대학
서울특별시
과제 기반 국내외 특허
0건
출원/등록 기관
발명의 명칭
출원일자
출원국가
출원번호
등록일자
등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문
0건
논문명
학술지명
DOI/URL