64 레벨 초고용량 낸드 플래시 메모리 개발을 위한 소자 및 설계 핵심 요소 기술 개발

2023산업통상자원부전자부품산업기술개발(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 3D 낸드 플래시 메모리에서 64 레벨로 갈수록 커지는 수평 전하 손실과 셀간 간섭을 줄이기 위한 전하 저장층·소자 구조 및 센싱 회로 개발 연구임. 연구 목표는 1) 수평 전하 손실 개선을 위한 양자점 전하 저장층 소재 발굴 및 제작 제반기술, 2) 양자점 전하 저장층 기반 메모리 소자 제작 및 특성 분석, 3) 트랩컷(trap cut) 기반 셀 트랜지스터와 에어갭 기반 셀 트랜지스터로 고신뢰성 전하 저장 구현, 4) Low noise(High resolution) 센싱 회로의 SPICE-level 정량 검증과 칩 실물 검증 수행임. 기대효과는 수평 전하 손실 억제와 셀간 간섭 최소화로 64 레벨 VFY/erase verify 조건에서도 데이터 보존성 향상과 신뢰성 확보임.
낸드 플래시멀티레벨신뢰성저잡음양자점 전하 저장층NAND FlashMultilevelReliabilityLow noiseQuantum dot charge storage layer
참여형태
협동
사업명
전자부품산업기술개발(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
(사)한국반도체연구조합
협동수행기관명
한양대학, 경북대학, 서울과학기술대학, 연세대학, 한국산업기술대학, 전남대학, 성균관대학, 충남대학, (재)한국표준과학연구원, 성균관대학, 한양대학, 성균관대학, 연세대학, 한국과학기술원, 인하대학, 호서대학, 연세대학, 이화여자대학, 연세대학, 영남대학, 나노종합기술원, 한양대학, 한양대학, 서울대학, 한양대학, 한양대학, 동국대학, (재)한국표준과학연구원, 서울과학기술대학, 아주대학, 한양대학, 서울대학, 한국과학기술원, 인천대학
공동/위탁수행기관명
광운대학, 가천대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2022.04.01 ~ 2024.12.31
과제 고유번호
1415187231
연구 개발단계
응용연구
연구비
총연구비
200,748,000 원
정부지원연구개발비
150,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
50,748,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
협동한양대학대학경기도
협동경북대학대학대구광역시
협동서울과학기술대학대학서울특별시
협동연세대학대학서울특별시
협동한국산업기술대학대학기타
협동전남대학대학광주광역시
협동성균관대학대학경기도
협동충남대학대학대전광역시
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소대전광역시
협동성균관대학대학경기도
협동한양대학대학서울특별시
협동성균관대학대학기타
협동연세대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학대전광역시
협동인하대학대학인천광역시
협동호서대학대학충청남도
협동연세대학대학서울특별시
협동이화여자대학대학서울특별시
협동연세대학대학서울특별시
주관(사)한국반도체연구조합기타경기도
협동영남대학대학경상북도
협동나노종합기술원출연연구소대전광역시
협동한양대학대학서울특별시
협동한양대학대학서울특별시
협동서울대학대학서울특별시
협동한양대학대학서울특별시
협동한양대학대학서울특별시
협동동국대학대학서울특별시
협동(재)한국표준과학연구원출연연구소기타
협동서울과학기술대학대학서울특별시
협동아주대학대학경기도
협동한양대학대학경기도
협동서울대학대학서울특별시
협동한국과학기술원대학대전광역시
협동인천대학대학인천광역시
공동/위탁기관 정보2건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동광운대학대학연구·기술개발-50,000,000
공동가천대학대학연구·기술개발-50,000,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL