이원계 금속산화물 강유전체 박막 적용 비휘발성 메모리 트랜지스터 개발
이원계 금속산화물 강유전체 박막 적용 비휘발성 메모리 트랜지스터 개발
2019
과학기술정보통신부
개인기초연구(과기정통부)(R&D)
프로젝트 소개
반도체 소자
비휘발성메모리
강유전체박막
이원계 산화물
전계효과 트랜지스터
하프늄산화막
메모리윈도우
분극 스위
semiconductor device
nonvolatile memory
ferroelectric thin film
binary oxide
field-effect transistor
HfO2
memory window
polarization switching
memory retention
참여형태
주관
사업명
개인기초연구(과기정통부)(R&D)
부처명
과학기술정보통신부
주관기관명
경희대학교(국제캠퍼스)
과제 수행연도
2019
과제 수행기간
2017.03.01 ~ 2020.02.29
과제 고유번호
1711085601
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
90,000,000 원
정부지원연구개발비
90,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
0 원
주관/협동기관 정보
주관/협동
수행기관명
연구수행주체
지역
주관
경희대학교(국제캠퍼스)
대학
경기도
과제 기반 국내외 특허
0건
출원/등록 기관
발명의 명칭
출원일자
출원국가
출원번호
등록일자
등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문
0건
논문명
학술지명
DOI/URL