프로젝트 소개
이 과제는 반도체 제조 핵심 부품의 국산화를 위해 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 소재인 'New-SiC'를 개발하는 연구임. 특히, Free-Si이 없고 전기 저항을 조절할 수 있는 New-SiC를 상압에서 소결하여 10nm급 반도체 공정에 사용될 CVD 코팅 모재 기술을 개발하는 것임.
연구 목표는 초고순도, 초내플라즈마성, 고안정성, 고수명 등 차세대 반도체 공정 부품 특성을 갖는 New SiC 및 CVD 코팅된 New SiC 원천 소재를 개발하고, EPITAXY 공정용 Susceptor 및 Protect Ring, DIFFUSION 공정용 Boat와 같은 핵심 부품 제조 기술을 확보하는 데 있음. 핵심 연구 내용은 New SiC 소재 양산화 및 저항 제어 기술 개발, New SiC를 이용한 CVD 코팅 기술 개발, EPITAXY 및 DIFFUSION 공정용 핵심 부품의 설계 및 제조 기술 확보임. 기대 효과는 Free-Si이 없고 방전 가공이 가능한 New SiC 소재로 국내 SiC 소재의 세계 시장 경쟁력을 확보하고, 전량 수입에 의존하는 고순도 SiC 원료 소재를 대체하여 경제적 파급 효과 및 고용 창출에 기여하는 것임.