프로젝트 소개
본 과제는 실리콘 나노구조체 기반 메모리 원리를 규명해, 빠른 동작과 긴 저장 시간을 동시에 가지며 논리 연산 결과를 기억하는 quasi-non-volatile memory 개념을 구현하는 연구임.
연구 목표는 read/write time < 100 ns, retention time > 100 s, endurance > 10^9 회 조건을 만족하는 단일 소자와 operation frequency > 100 MHz의 inverter, NAND, NOR 게이트를 갖는 ‘논리 연산이 가능한 quasi-non-volatile memory 배열 소자’를 개발하는 데 있음. TCAD 시뮬레이션으로 3차원 공정·구조 최적화, 측정-시뮬레이션 비교로 작동 메커니즘 규명, 긴 retention 및 높은 endurance 확보 구조 설계·제작, mixed-mode simulation 기반 논리회로 제작을 수행함. 기대 효과는 양성 피드백 루프 현상 메커니즘 지식 제공과 CMOS 공정 활용을 통한 고집적 메모리·비메모리 응용 확장 및 big data 처리 성능 향상임.