3D 패키지 배선을 위한 하이브리드 본딩 기술

2023산업통상자원부민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
프로젝트 소개
본 과제는 NAND COP, HBM, SIP 등 3D 패키지 배선을 위해 초연결성(high connectivity) 저온 하이브리드 본딩 소재·공정 기술을 개발하는 연구임. 연구 목표는 sub-μm~10μm 피치의 D2W/W2W 하이브리드 본딩 적용 가능 공정 및 소재, 본딩 기구·신호전달·warpage 해석, Cu/dielectric 신뢰성 향상 기술 확립에 있음. 전처리·나노막 소재, 본딩층 CMP 및 fly cutting 평탄화, 계면접착력 평가, Multi-scale mechanism 규명과 머신러닝 기반 설계가이드라인을 수행함. 기대 효과는 소형화·고집적 HPC 반도체 원천기술 확보, Cu pad 최적 디자인 제시, 확산 촉진 제어 및 저온 미세접합 신뢰성 강화, 3D 패키징 경쟁력 및 전문인력 배출에 기여함.
하이브리드 본딩3D 패키징배선다이-to-웨이퍼 본딩웨이퍼-to-웨이퍼 본딩Hybrid Bonding3D PackagingInterconnectDie-to Wafer BondingWafer-to-Wafer Bonding
참여형태
주관
사업명
민관공동투자반도체고급인력양성사업(R&D)
부처명
산업통상자원부
주관기관명
서울과학기술대학
공동/위탁수행기관명
한국생산기술연구원, 한국과학기술원, 성균관대학, 세종대학, 안동대학
과제 수행연도
2023
과제 수행기간
2023.04.01 ~ 2027.12.31
과제 고유번호
1415187584
연구 개발단계
기초연구
연구비
총연구비
524,724,000 원
정부지원연구개발비
450,000,000 원
위탁연구비
0 원
민간연구비
74,724,000 원
주관/협동기관 정보
주관/협동수행기관명연구수행주체지역
주관서울과학기술대학대학서울특별시
공동/위탁기관 정보5건
공동/위탁수행기관명연구수행주체참여형태공동연구비 수입금액 (원)공동연구비 지출금액 (원)
공동한국생산기술연구원출연연구소연구·기술개발-60,000,000
공동한국과학기술원대학인력양성-47,500,000
공동성균관대학대학연구·기술개발-142,500,000
공동세종대학대학기타-47,500,000
공동안동대학대학연구·기술개발-47,500,000
과제 기반 국내외 특허0건
출원/등록 기관발명의 명칭출원일자출원국가출원번호등록일자등록번호
과제 기반 SCI(E) 논문0건
논문명학술지명DOI/URL