2026년도 나노소재기술개발사업 신규과제 3차 공모
이 과제는 차세대 3D DRAM에 필요한 고유전 다성분계 ALD 소재와 초박막 공정 기술을 확보하는 것을 목표로 하며, 4년 6개월 동안 약 67.5억 원 규모로 지원됩니다. 주관기관은 대학·출연연 등 비영리기관이며 기업 참여가 필수입니다. 반도체 소재 개발, ALD 공정, 전구체 합성 역량을 가진 기관에게 적합하며 기술이전 성과 및 데이터 관리, IP-R&D 수행이 요구됩니다.
이 사업은 글로벌 공급망 리스크와 첨단산업 경쟁 심화에 대응해 핵심 소재의 원천기술 확보와 기술 자립도를 강화하기 위해 추진됩니다. 반도체, 디스플레이, 배터리 등 전략산업 중심의 나노·소재 기술 고도화를 목표로 하며 산·학·연 협업 기반의 플랫폼형 연구개발 체계를 특징으로 합니다. 참여기관은 비영리 주관기관과 기업이 함께 참여할 수 있으며, 기술이전과 사업화 가능성을 중점적으로 고려하여 연구성과의 산업 적용을 촉진합니다.
이 과제는 차세대 3D DRAM 셀에 적용 가능한 유전율 100 이상, EOT 0.3nm 이하, 낮은 누설전류 특성을 가진 다성분계 고유전 ALD 박막 기술을 확보하는 것이 핵심 목표입니다. 이를 위해 Sr·Ba 기반 전구체 합성, 페로브스카이트 구조의 고유전막 공정 개발, 초박막 조건에서의 유전 특성 확보, 그리고 DRAM 3D 구조 적용성 검증까지 단계적으로 수행합니다. 최종적으로 차세대 메모리 구조에 적용 가능한 고성능 소재 기술과 공정을 확보해 산업 경쟁력을 높이는 데 목적이 있습니다.
이 과제는 차세대 3D DRAM의 고집적 구조에 대응하기 위한 고유전 ALD 박막 소재 및 공정 기술을 개발하는 연구 중심 과제입니다. 특히 다성분계 페로브스카이트 기반의 고유전막을 초박막 조건에서 안정적으로 구현하고, 실제 DRAM 구조 적용 가능성을 검증하는 것을 목표로 합니다. 주요 연구 내용은 다음과 같습니다. - Sr·Ba 기반 고유전 전구체 합성 기술 개발 및 최적화 - 다성분계 페로브스카이트 구조 고유전막 ALD 공정 개발 - 10nm 이하 초박막에서 유전율 100 이상을 확보할 수 있는 적층·heterostructure 기술 구현 - 전극막 ALD 공정 기술 확보 및 전극-유전체 계면 특성 평가 - 차세대 3D DRAM 셀 구조에서의 전기적 특성 검증 및 신뢰성 테스트 또한 지원 측면에서는 다음의 요구사항과 혜택이 포함됩니다. - 4년 6개월간 총 67.5억 원 내외 지원 - 1단계 종료 후 경쟁평가를 통해 2단계 진입 연구단 결정 - IP-R&D 의무 수행 및 특허 전략 비용 반영 - 연구데이터 관리계획(DMP) 제출 및 정기적 데이터 등록 의무 - 기술이전 성과 창출 요구(총 6.75억 원 이상) 본 과제는 고유전 재료 합성, ALD 공정 기술, DRAM 소자 이해를 보유한 산·학·연 연구팀이 참여하기 적합하며, 반도체 소재 기업과의 협력이 기술 상용화 가능성을 크게 높일 수 있습니다.
지원기간 2026.07~2030.12(총 54개월), 연구단 1개 선정, 2026년 7.5억원(6개월), 2027~2030년 연 15억원 내외
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