2026년도 나노소재기술개발사업 신규과제 3차 재공모
본 과제는 차세대 3D DRAM용 초고유전율 ALD 소재와 공정기술 확보를 목표로 하는 R&D 지원사업으로, 비영리기관 주관의 산·학·연 컨소시엄 참여가 필수입니다. 총 54개월 동안 연 15억 원 내외의 연구비가 지원되며, 기업은 필수 공동참여기관으로 포함됩니다. 반도체 소재·공정, 유전체 박막, 전구체 개발 등 관련 역량을 보유한 대학·출연연·소재기업에게 적합한 과제입니다. 소재 개발과 공정검증, 데이터 기반 연구를 함께 수행할 수 있는 기관에 적합합니다.
본 사업은 글로벌 공급망 불안정과 주요 산업의 소재 기술 의존도를 해결하기 위해 반도체·배터리·바이오 등 핵심 전략 분야의 원천소재·공정 기술을 확보하는 것을 목표로 추진됩니다. 특히 데이터·AI 기반의 전주기 연구체계를 도입해 신소재 탐색부터 공정검증까지 단계별로 통합 지원하는 것이 특징입니다. 대학·출연연·연구기관과 기업이 함께 참여하는 플랫폼형 연구단 구성을 요구하며, 국가 전략소재의 자립화와 산업화 기반 강화를 위한 핵심 사업입니다.
이 과제는 차세대 고집적 3D DRAM 셀의 한계를 극복하기 위해 알짜 유전율 100 이상, Tox 0.3 nm 이하의 고유전 박막 소재와 이를 구현할 ALD 공정기술을 확보하는 것을 목표로 합니다. Sr/Ba 기반 전구체 합성, 페로브스카이트 구조 고유전막 형성, 초박막 이종구조(heterostructure) 설계 및 전극 통합 기술을 단계적으로 확보합니다. 또한 3D 구조에 적용 가능한 공정 적합성을 실증하고, 데이터 기반 연구를 통해 박막 특성·공정조건·소자 성능 간의 상관관계를 체계적으로 구축하여 기술이전과 산업 적용 가능성을 높이는 것을 핵심 목표로 합니다.
본 과제는 차세대 고집적 3D DRAM용 고유전 박막 소재와 ALD 공정 기술을 확보하기 위한 단계적 연구개발로 구성됩니다. 소재 개발, 공정 최적화, 소자 통합, 적용성 검증까지 전 주기를 포함하며, 산·학·연·기업이 역할을 분담해 수행합니다. 주요 연구 내용은 다음과 같습니다. 1. 전구체 및 소재 개발 단계 - Sr/Ba 기반 신규 전구체 합성 및 안정성·반응성 평가 - 페로브스카이트 구조 고유전막 후보 탐색 및 물성 분석 - 초고유전율 확보를 위한 조성 제어 및 합성 전략 도출 2. ALD 기반 박막 형성 및 공정 개발 - 고유전막 ALD 증착 조건 확립 및 스텝커버리지 극대화 - 초박막 heterostructure 구조 형성을 위한 다층·복합 공정 설계 - 유전 특성, 누설전류, 두께 제어 등 핵심 공정 성능 확보 3. 셀 캐패시터 통합 및 소자 검증 - 전극재료·막 계면 특성 최적화 및 신뢰성 평가 - 3D DRAM 구조 적용을 위한 공정 적합성 테스트 - 소자 수준의 전기적 특성평가 및 성능 검증 4. 데이터 기반 연구 수행 체계 구축 - 합성·측정·공정 데이터 표준화 및 연계 DB 구축 - AI 기반 공정탐색 및 물성 예측 모델 활용 - 모든 연구데이터의 플랫폼 업로드 및 관리 5. 지원 내용 및 혜택 - 54개월간 총 67.5억 원 규모의 연구비 지원 - IP-R&D 전략 비용 연1회 지원 및 기술이전 목표 설정(6.75억 이상) - 산·학·연·기업 컨소시엄 기반의 통합 연구환경 제공 - 단계평가를 통한 성과 기반 지속 지원 및 기술 확산 기회 제공 본 과제는 반도체 소재·공정, ALD 기술, 유전체 박막, AI 기반 소재 연구 등을 보유한 기관에게 매우 적합하며, 차세대 DRAM 기술의 핵심 원천소재를 확보할 수 있는 전략적 기회를 제공합니다.
지원기간 2026.07~2030.12(총 54개월, 1단계 2026.07~2028.12, 2단계 2029.01~2030.12). 지정공모형이며 과제당 1개 연구단 선정. 2026년 7.5억원(6개월), 2027~2030년 연 15억원 내외 지원.
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