용액 공정 반도체 및 소스/드레인 전극을 사용하여 유기-산화물 하이브리드 CMOS 인버터를 시연하였다. 용액 공정 n-형 및 p-형 반도체는 각각 InGaZnO 용액과 TIPS-pentacene/PαMS 블렌드를 스핀 코팅하였고, 소스/드레인 전극으로는 은(Ag) 잉크와 PEDOT:PSS 용액을 뱅크의 도움을 받아 드롭캐스팅하였다. InGaZnO 및 TIPS-pentacene 트랜지스터는 낮은 오프 전류를 보이는 전형적인 n-형 및 p-형 트랜지스터 동작을 나타냈다. 용액 공정 n-형 및 p-형 트랜지스터의 결합을 기반으로, 정적 전류가 낮은 하이브리드 CMOS의 full-swing 특성 곡선을 얻었다.
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