High-Performance Negative Capacitance Field-Effect Transistors with Synthetic Monolayer MoS2
Moonyoung Jung, Hyo‐Bae Kim, Yungyeong Park, Jeong-Min Park, Hyeonseo Lee, Seunghyun Oh, Ki Kang Kim, Ji‐Hoon Ahn, Yeonghun Lee, Junhong Na, Dongseok Suh
IF 16 (2025) ACS Nano
초록
이 접근법은 대면적 통합의 잠재력을 시사하며, 저전압 작동을 신뢰성 있고 재현 가능하게 구현함을 보여준다. 또한 소스/드레인 접촉 저항을 감소시키는 것(인듐 금속 접촉을 통해 달성)이 단층 2D vdW NCFET의 성공적인 구현에 필수적임을 추가로 확인하였다.
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