Ultrathin Low-Resistivity Metal Films and Initial Growth Control via Atomic Layer Deposition
연구 내용
초미세 금속 배선에서 두께 감소로 인한 저항 증가 문제를 해결하기 위해 ALD/PEALD로 MoCx, Ru 등의 초극박막을 증착하고, 공정 조건과 반응/핵생성 거동을 제어해 연속막과 저저항을 구현하는 연구
반도체 소자의 미세화로 인해 금속 라인의 저항 크기 효과가 증가함에 따라, 초극박막에서도 연속성과 전기적 성능을 동시에 확보하는 증착 공정이 요구됩니다. 본 연구는 cyclopentadienyl 기반 전구체를 활용한 PEALD로 MoCx 저저항 박막을 구현하고, 전기 퍼텐셜을 이용한 반응 동역학/핵생성 제어, 공정 압력 변화에 따른 초기 성장 거동 최적화를 통해 Ru 박막의 섬 형성 억제와 연속막화를 달성합니다. 또한 다층 구리 재배선 공정과 연계 가능한 ALD 기반 저저항 필름 제작 전략을 제안합니다.
관련 연구 성과
관련 논문
3편
관련 특허
0건
관련 프로젝트
3건
연구 흐름
초기에는 PEALD용 전구체 설계와 반응 조건을 바탕으로 Mo 기반 초극박막의 저저항 특성을 확보하는 연구를 수행했습니다. 이후에는 원자층 증착 과정에서 표면 반응과 핵생성을 제어하기 위해 전기 퍼텐셜을 보조하는 전위 보조 ALD 접근을 적용하여 금속 박막의 미세구조를 조절했습니다. 최근에는 공정 압력 변수가 초기 핵 형성과 연속막 성장에 미치는 영향을 체계적으로 분석해 초박막 영역에서도 낮은 저항 특성을 유지하는 증착 윈도우를 확립하고, 다층 구리 배선 공정과의 융합 방향을 모색하고 있습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Ultralow-Resistivity Molybdenum-Carbide Thin Films Deposited by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Using a Cyclopentadienyl-Based Precursor
Advanced atomic layer deposition (ALD): controlling the reaction kinetics and nucleation of metal thin films using electric-potential-assisted ALD
Ultrathin Metal Films with Low Resistivity via Atomic Layer Deposition: Process Pressure Effect on Initial Growth Behavior of Ru Films
관련 프로젝트
구분
제목
차세대 하이브리드 본딩용 다층 구리 재배선 및 저저항 복합 배선 EP/ALD 융합공정 개발
차세대 하이브리드 본딩용 다층 구리 재배선 및 저저항 복합 배선 EP/ALD 융합공정 개발
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