본 논문은 13.56 MHz RF 플라즈마 시스템에서 능동 소자의 전류 스트레스를 감소시키기 위해 설계된 병렬 공진형 전기 가변 커패시터(Electrical Variable Capacitor, EVC)를 소개한다. 반도체 요구사항이 계속 발전함에 따라 반도체 공정에서의 매칭 속도에 대한 수요는 꾸준히 증가하고 있다. 그러나 기계적으로 동작하는 전통적인 진공 가변 커패시터(Vacuum Variable Capacitor, VVC)는 매칭 속도가 매우 느리므로 신속한 매칭 시간을 요구하는 공정에는 적합하지 않다. 이러한 문제를 해결하기 위해 EVC가 제안되었다. EVC는 스위치를 사용하여 전기적으로 동작하며, VVC에 비해 매칭 속도가 현저히 빠른데, 약 1000배 빠르다. 따라서 EVC는 빠른 매칭 시스템을 필요로 하는 공정에 적합하다. 하지만 기존의 EVC 회로는 높은 비용과 큰 부피와 같은 단점이 있으며, 또한 능동 소자에 대한 높은 전류 스트레스로 인해 전력 효율이 좋지 않다. 본 논문은 이러한 문제를 해결하는 새로운 유형의 EVC 회로를 제안한다. 제안하는 회로는 가변 동작을 위해 필요한 능동 소자 수를 최소화하여, 소형화되고 비용 효율적인 EVC 설계를 가능하게 한다. 또한 능동 소자의 전류 스트레스를 최소화하여 고전력 시스템에서 더 효과적으로 동작하도록 한다. 결과적으로, 제안된 회로는 고출력을 요구하는 RF 플라즈마 시스템의 임피던스 매칭 네트워크에 효과적으로 사용될 수 있다.

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