이 연구는 메사 크기 30 × 30 μm2의 InGaN/GaN 다중 양자 우물 플립칩 청색 마이크로 발광다이오드(μ-LED)에 대한 전류 스트레스가 미치는 영향을 조사하고, 결함의 응집 및 생성과 같은 스트레스 관련 메커니즘이 μ-LED의 광전자 소자 성능 변화를 유발함을 설명한다. 정방향 전류 스트레스를 75 A/cm2(0.7 mA)에서 200 h 동안 가한다. 소자의 성능은 25 h까지는 변화를 보이지 않다가, 스트레스 시간이 증가할수록 저하된다. 열화 초기 25 h 동안에는, 활성 영역에서 점 결함의 응집으로 인해 결정 품질이 향상되어 광출력 전력과 외부 양자 효율(EQE)이 증가하며, 이는 이상성 인자와 S-파라미터로 뒷받침된다. 고해상도 발광-현미경 이미지 결과, 성능 저하에 결정적인 것은 활성 영역이 아니라 메사 측벽에서의 점 결함 생성임이 드러난다. 특히, 측벽이 두꺼운 SiO2 층으로 적절히 패시베이션되어 있었음에도 불구하고, 열화 시험이 측벽 점 결함을 생성한다는 점을 강조한다. 열화에 의한 결함의 응집 및 생성 메커니즘은 이상성 인자, S-파라미터, 그리고 EQE에 의해 일관되게 설명된다.

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