본 연구는 열반사율(thermoreflectance, TR) 특성을 기반으로 하여 금속 증착 없이 GaN 소자의 표면 온도를 측정하는 정밀하고 재현 가능한 방법론을 제시한다. 반사율 특성에 맞춘 두 가지 TR 기법을 제안한다. 첫 번째 방법은 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 빛을 사용하여 반사율의 변화를 모니터링함으로써 표면 온도를 측정하며, 두 번째 방법은 GaN의 서브 밴드갭(sub-bandgap) 에너지에 해당하는 빛을 사용하여 반사율 스펙트럼의 프린지(fringe) 패턴 변화(i.e., 무늬 변화)를 모니터링한다. 두 방법 모두 입사광 파장의 적절한 선택을 통해 온도 의존적 반사율의 크기 및 비선형성을 향상시킴으로써, 넓은 온도 범위에 걸쳐 동일한 정확도로 표면 온도를 측정할 수 있다. 본 연구는 넓은 온도 범위에서 GaN 기반 고전력 전자 및 광전자 소자의 국소 온도를 비접촉적이며 비파괴적으로 측정하는 데 적용될 것으로 기대된다.

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