본 논문에서는 발광다이오드(LED) 에피택셜 층의 결함 수준과 결정 품질에 관한 정보를 추출하는 데 거시적 특성들을 어떻게 활용할 수 있는지를 제시한다. 전류–전압( I–V ) 및 광출력 전류–전류( L–I ) 특성의 현재 연구를 검토한 후, 장치 내 서로 다른 결함 수준이 내부양자효율(IQE)을 포함한 거시적 특성에 어떻게 반영되는지를 실제 사례를 통해 보인다. 우리는 I–V로부터 얻는 이상성 인자(ideality factor)와 L–I로부터 얻는 S-파라미터가 장치의 활성 영역에서 복사 재결합이 지배적임을 나타내는 유용한 지침이 될 수 있음을 보여준다. 에피택셜 층의 결함 수준에 대한 성능지표(figure of merit)로서 최소 이상성 인자를 제안하며, 이는 최대 IQE 값과 상관관계가 있음을 보인다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.