측벽 결함과 측방 캐리어 확산 길이가 외부 양자 효율(EQE)에 미치는 영향을 InGaN/GaN 기반 청색 및 녹색 마이크로-LED에서 일관되게 조사하였다. 청색 및 녹색 마이크로-LED는 모두 동일한 메사 크기(20×20 및 60×60 μm2)를 갖는다. 청색 마이크로-LED는 녹색 마이크로-LED보다 더 높은 결정 품질과 EQE를 보인다. 녹색 마이크로-LED의 EQE는 더 높은 In 조성으로 인해 활성 영역 내부에서 캐리어 국소화가 증가하여, 크기에 대한 의존성이 낮다. 그러나 청색 마이크로-LED에서는 작은 크기의 마이크로-LED가 더 큰 크기보다 낮은 EQE를 나타내는데, 이는 더 높은 측방 캐리어 확산 길이로 인해 결함을 경유한 비복사 재결합이 증가하기 때문이다.

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