윤정호 교수 연구실
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·2026
Unraveling Origin of Stochasticity in Multi‐Filamentary Memristor
Keunho Soh, Seunghoe Koo, B.-G. Yoon, Ji Eun Kim, Suk Yeop Chun, Su In Hwang, Junki Jung, H. K. Jang, Sunghoon Hur, Kyeongtae Kim, Jung Ho Yoon
IF 19 (2026) Advanced Functional Materials
초록

보안 응용을 포함한 컴퓨팅의 최근 발전, Monte Carlo 시뮬레이션, 확률적 컴퓨팅은 강건한 확률 요소에 대한 수요를 증가시켰다. 역치 스위칭(TS) 특성을 갖는 이온-이동 매개 변동성 멤리스터는, 확률적인 전도성 필라멘트(CF) 형성과 파괴로 인해 유망한 물리적 엔트로피 소스로 부상하고 있다. 그러나 엔트로피 소스로서 멤리스터를 최적화하기 위해서는 이온 이동과 그에 연관된 CF 형성/파괴를 적극적으로 촉진하는 재료 시스템이 필요하며, 또한 이들의 결합 전기열(electrothermal) 거동에 대한 정량적 이해가 요구된다. 본 연구에서는 이온-이동 경로를 향상시키는 다공성 나노로드(NRs) 기반 산화물 층을 통합함으로써, 후처리 없이도 신속한 장치 중심의 디지털 및 아날로그 무작위 출력을 구현하였다. 더 나아가, 주사 열 현미경(SThM)을 사용하여 다중 CF의 확률적 동역학을 직접 가시화하고, 전기열 시뮬레이션을 통해 이를 검증함으로써 소자의 고유한 무작위성을 확인하였다. 마지막으로, 이중모달(디지털 및 아날로그) 진정 무작위 수 생성기(TRNG)와 확률적 컴퓨팅 플랫폼은 TS 멤리스터가 확률 지향 응용을 위한 조절 가능하고 강건한 무작위성의 소스로서의 활용성을 보여주었다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
MemristorRandomnessProbabilistic logicEntropy (arrow of time)Monte Carlo methodResistive random-access memoryRandom number generationThermal conduction
타입
Article
IF / 인용수
19 / 0
게재 연도
2026

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