이방성 칼코게나이드 및 초정밀 계면 계면반응 기반 박막 합성

Anisotropic metal chalcogenides and ultraclean interfacial chalcogenization synthesis

연구 내용

이방성 1D·2D 금속 칼코게나이드의 구조-물성 관계를 합성 단계에서 규명하고, 계면 결함을 최소화하는 공정으로 이종접합 및 디바이스용 박막을 구현하는 연구

금속 칼코게나이드는 낮은 대칭도의 이방성 구조에서 전자·촉매·에너지 저장 특성이 나타나므로 합성 경로와 결함 제어가 핵심입니다. 연구실은 칼코겐 전달과 계면 반응을 이용해 결함이 적은 전이금속 칼코게나이드(TMD) 채널을 형성하고, Au와 전이금속 사이에서 일어나는 칼코게나이징 메커니즘을 바탕으로 성장 조건을 설계합니다. 또한 이방성 결정의 차원·상·조성·결함·이종구조를 조절하여 전자소자 및 열전 소자 등으로 확장하는 접근을 수행합니다.

관련 프로젝트

1건

연구 흐름

초기에는 이방성 금속 칼코게나이드의 결정 구조와 물성 기반을 정리하고, 합성·차원 제어 전략을 비교하는 방향으로 연구를 확장했습니다. 이후에는 TMD를 금속과 결합할 때 발생하는 물리·화학적 결함을 줄이기 위해, 계면에서 칼코겐 확산과 반응이 동시에 일어나도록 공정을 재설계하는 confined interfacial chalcogenization(CIC) 개념으로 전환했습니다. 최근에는 결정면 성장과 계면 청정성을 확보한 뒤, 막 두께 균일성과 소자 성능 재현성을 고려한 디바이스 적용으로 이어지는 흐름을 보입니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

초정밀 이종접합 전자소자
TMD 기반 수직 메모리스터
차세대 트랜지스터 채널 형성 공정
열전 소자용 칼코게나이드 박막
전자·광전자 소자용 결함 저감 인터페이스
촉매용 층상 칼코게나이드 구조
에너지 저장용 칼코게나이드 전극
반도체 제조용 대면적 합성 플랫폼
공정 재현성 중심의 소자 제작
박막 성장 메커니즘 기반 공정 모델링