반도체 소재에 대한 광범위한 연구에도 불구하고, 반도체 내 광학 양자 천이에서 온도와 자기장이 미치는 영향은 아직 충분히 이해되지 않았다. 따라서 본 연구에서는 반도체 소재 내 전자–압전-음파(phonon) 상호작용 시스템에서 온도 및 자기장에 따른 광학 양자 천이선 특성(OQTLP)을 선형(line shapes; LS)과 선폭(line widths; LW)을 포함하여 조사하였다. 투영(projection) 기반 방정식과 평형 평균 투영(equilibrium average projection)을 통합하는 이론적 틀을 GaAs 및 CdS에 적용하였다. 유사하게, LW는 대부분의 온도 구간에서 정사각 우물(quare-well) 구속 퍼텐셜을 가정할 때 자기장에 따라 전반적으로 증가하였다. 그러나 저온에서 높은 자기장에서는 GaAs의 경우 LW가 감소하였다. 또한 LW는 온도 상승에 따라 증가하였다. 더 나아가 양자 천이 과정을 분석하기 위해, Landau 준내 및 Landau 준간 천이에 대한 LW와 LS를 비교하였다. 그 결과, GaAs와 CdS에서 양자 천이의 온도 의존성은 주로 준내(Landau 준내) 천이가 지배하는 것으로 나타났다.

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