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RRAM·memristor 기반 뉴로모픽 시냅스 소자 및 학습 회로 연구

Neuromorphic Synaptic Devices and Learning Using RRAM/Memristors

연구 내용

RRAM·memristor 시냅스 소자에서 전도 필라멘트 형성 위치와 누설 경로를 제어하고, 크로스바 기반 신경망 학습을 구현하는 연구

RRAM 및 memristor를 시냅스 소자로 활용하여 뉴로모픽 학습을 수행할 수 있는 소자-아키텍처를 구축합니다. 전도 필라멘트의 형성 및 성장 메커니즘을 분석하고, parylene C 기반 구조, 전극-저항층 계면 제어, graphene 장벽 삽입, 3차원 적층 전극 형상 등 공정 변수를 통해 변동성과 신뢰성을 개선합니다. 또한 어레이 수준에서 sneak current를 억제하고, 멀티레벨 상태 및 시냅스 메타플라스티시티를 학습 규칙으로 연결하여 패턴인식 및 키워드 스포팅 같은 응용을 검증하는 차별성을 보유합니다.

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연구 흐름

초기에는 CMOS 호환 VRRAM 환경과 함께 RRAM을 이용한 신경망 연산을 구현하는 방향으로 연구를 수행했습니다. 이후 parylene C 기반 유연 소자에서 전기적·기계적 안정성을 확보하고, 시스템 수준에서 신경망 성능을 검증하는 흐름으로 확장되었습니다. 최근에는 graphene 확산 장벽과 3차원 적층형 RRAM 전극 구조를 통해 신뢰성 저하 요인을 완화하고, hydrogen annealing 및 self-rectifying 특성을 활용해 어레이의 누설 문제를 줄이며 멀티레벨 시냅스를 안정적으로 구성하는 방향으로 심화되었습니다. 마지막으로 메타플라스티시티와 연합학습을 모델-소자 특성으로 연결하는 연구를 수행하고 있습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • 뉴로모픽 학습 가속기
  • 온칩 패턴인식용 시냅스 어레이
  • 초저전력 엣지 AI 추론
  • 로우 IR-drop 아날로그 MVM 연산기
  • Transformer 기반 키워드 스포팅
  • 유연 웨어러블 뉴로모픽 센서
  • 확률·스파이킹 SNN 구현
  • 다중 레벨 가중치 매핑
  • 시냅스 변동성 최소화 회로
  • 신뢰성 기반 RRAM 공정 가이드

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