28 nm 로직 CMOS 기술(Samsung 28 nm LPP)을 이용해 완전히 구현된 2-트랜지스터(2-T) 내장형 플래시(eflash) 메모리가 제안된다. 제안된 2-T eflash는 추가 공정 단계를 필요로 하지 않는다. 3개 또는 그 이상의 트랜지스터를 사용하는 기존 eflash 메모리와 비교하여, 그리고 6.8 V를 초과하는 프로그램/소거 전압이 요구되던 것에 비해, 제안된 2-T eflash는 소자 수를 감소시키고 동작 전압을 4.5 V로 낮추어 주변 회로 구성을 실질적으로 단순화한다. 저전압 터널링 기반 동작으로 인해 eflash는 10⁷ 사이클을 초과하는 높은 내구성을 보이며, 유지 특성은 80°C의 승온 조건에서 최대 10⁴ s까지 유지된다. 고성능 유지 특성을 보존하면서도, 제안된 eflash는 10⁷ 사이클을 초과하는 내구성을 달성하여, 기존 플래시 메모리 내구성과 비교할 때 거의 2자릿수(두 자릿수) 차이에 해당하는 개선을 보인다. 또한 선택적 프로그램 및 소거 동작이 시연되어 메모리 어레이에서 정밀한 문턱전압 튜닝이 가능함을 보여준다. 이러한 결과는 제안된 2-T eflash가 확장 가능한 컴퓨트-인-메모리 응용을 위한 유망한 후보임을 시사한다.

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