우리는 수직형 NAND(V-NAND) 플래시 메모리의 보유 특성을 향상시키는 동시에 소프트 지우기 시간을 유의미하게 감소시키기 위한 블록 소프트 소거(block soft erase) 방법을 제안한다. 각 셀을 개별적으로 조정하는 기존의 점진적-단계-펄스(erasing)-기반 접근법과 달리, 제안된 방법은 모든 셀에 동시에 단일 소프트 소거 펄스를 적용한다. 상용 트리플 레벨 셀(triple-level-cell) V-NAND 플래시 메모리를 사용한 실험 결과, 워드 라인 위치와 스트링 차이로 인한 셀 간 변동(cell-to-cell variation) 하에서도 여러 프로그램-검증 수준(program-verify levels, PVs)에 걸쳐 Vth 튜닝이 가능함을 보여주었다. 85 °C에서 측정한 보유 특성은 104 s 후 PV7에서 21.6%의 개선을 나타내었다.

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