극초단·고출력 레이저를 이용한 반도체 웨이퍼 초미세 절단/다이싱 공정 연구

Ultrashort High-Power Laser Processing for Semiconductor Wafer Cutting and Dicing Research

연구 내용

극초단 레이저와 고출력 레이저 증폭기 구성을 통해 초박형 웨이퍼를 정밀 절단·다이싱하는 가공 장비 성능을 확보하는 연구

연구실은 극초단 레이저(펨토초)와 고출력 증폭기 구성을 기반으로 자외선 레이저를 생성하고, 이를 이용해 웨이퍼 다이싱 및 초박형 절단 공정을 수행합니다. 레이저 스팟 특성과 공정 조건을 조합하여 절단 폭과 손상 특성을 제어하는 방향으로 접근하며, 장비 관점에서는 300W급 고출력과 고정밀 가공을 동시에 만족하도록 시스템을 구성합니다. 이러한 공정 기술을 통해 반도체 가공의 생산성과 정밀도를 함께 다루는 데 목적이 있습니다.

관련 프로젝트

3건

연구 흐름

2021년에는 300W 500펨토초 레이저 및 50um 웨이퍼 절단 장비 개발을 통해 극초단 레이저 기반 절단 공정의 기초 조건을 수립했습니다. 2021~2024년 기간에는 다수의 협동/비협동 수행 형태로 레이저 증폭과 자외선 생성, 웨이퍼 다이싱 공정 최적화를 병행했습니다. 이후 2025년까지 이어지는 일정에서는 장비 성능 안정화와 공정 재현성 확보를 중심으로 연구를 지속합니다. 결과적으로 광원-광학-가공을 연동한 공정 흐름을 축적하는 방향으로 전개됩니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

반도체 웨이퍼 다이싱 공정
초박형 웨이퍼 절단
UV 기반 정밀 마이크로머시닝
레이저 절단 품질 제어
공정 재현성 향상
고속 웨이퍼 가공 스루풋
절단 손상 저감 조건 도출
장비 스케일업 설계
웨이퍼 두께 공정 윈도우 산정
레이저 가공 공정 모니터링