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과제
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Article
|
·
인용수 10
·
2022
Hysteretic behavior of all CVD h-BN/graphene/h-BN heterostructure field-effect transistors by interfacial charge trap
Seokjun Kim
,
Byeongwan Kim
,
Seonha Park
,
Won Seok Chang
,
Haeyong Kang
,
Seokho Kim
,
Habeom Lee
,
Songkil Kim
IF 6.2 (2022)
Surfaces and Interfaces
키워드
Materials science
Graphene
Chemical vapor deposition
Doping
Raman spectroscopy
Graphene nanoribbons
Nanotechnology
Field-effect transistor
Optoelectronics
Heterojunction
타입
Article
IF / 인용수
6.2 / 10
원문
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102615
게재 연도
2022