근적외선(NIR) 형광 수명 이미징 현미경(FLIM) 응용을 위한 3개의 전이 게이트를 갖춘 후면 조사(backside illumination, BSI) 실리콘 기반 CMOS 이미지 센서(CIS)를 설계하고 최적화하였다. 보다 효율적인 형광 획득을 위해 샘플 손상 및 광표백을 회피하는 3-탭 설계를 고려하였다. NIR 범위에서 더 높은 외부 양자 효율(EQE)과 낮은 기생 광 민감도(PLS)를 얻기 위해 두꺼운 실리콘 기판과 p-웰 퍼널(p-well funnel)을 적용하였다. 또한 픽셀의 광전하 수집 속도를 조사하고 최적화하였다. 해당 3-탭 이미지 센서는 940 nm에서 42.6%의 높은 EQE와 −60 dB의 낮은 PLS를 보였으며, 픽셀 응답은 7.41 ns이다. 개발된 이미지 센서를 이용한 형광 수명 이미징을 705-nm 피크 방출을 예로 들어 정확도로 시연하였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.