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SWIR 감도 향상형 양자점·페로브스카이트 및 고급 이미징 픽셀 연구

Research on Advanced Imaging Pixels for SWIR Using Quantum Dots, Perovskites, and Functional CIS Architectures

연구 내용

SWIR/근적외선 영역에서 외부양자효율·지연·블루밍을 분석하고, 페로브스카이트·CQD 광다이오드 및 3탭/색분리 픽셀 구조로 2D·3D·FLIM 성능을 확장하는 연구

Si 한계 파장을 넘어서는 SWIR에서 CQD 기반 박막 광다이오드 이미지 센서의 imaging 특성을 체계적으로 분석하고, EQE와 dark current를 바탕으로 image lag, blooming 억제 메커니즘을 해석합니다. 또한 전하 전달·결함 관련 활성화 에너지를 dark current spectroscopy로 통계 처리하여 defect engineering 관점의 설계 단서를 도출합니다. 더 나아가 할로겐 페로브스카이트 광다이오드를 Si ROIC에 통합해 2D 고해상도와 빠른 전하전달을 이용한 깊이감지(iToF)를 시연합니다. NIR FLIM용 three-tap 구조와 색분리 pinned photodiode 구조로 기능성과 효율을 보완합니다.

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연구 흐름

초기에는 SWIR CQD 박막 기반 이미지 센서에서 픽셀 특성(지연, blooming)과 광응답의 시간 거동을 연결해 성능을 정밀 분해하는 분석 연구를 수행했습니다. 이후 dark current spectroscopy 기반 활성화 에너지 통계로 결함·전하이동의 설계 근거를 확장했습니다. 최근에는 페로브스카이트 광다이오드를 Si ROIC에 통합하여 2D 이미지 성능과 iToF 기반 깊이감지를 함께 구현하는 방향으로 확장했습니다. 동시에 FLIM용 three-tap NIR CIS와 색분리 PPD 구조로 응용 특화 픽셀을 개발했습니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

  • SWIR 기반 고해상 영상
  • 페로브스카이트/CMOS 통합 광검출
  • iToF 깊이감지 모듈
  • FLIM 기반 형광 수명 측정
  • 생체·정밀진단 영상 플랫폼
  • 색분리 픽셀을 통한 광효율 향상
  • CIS 기반 다기능 이미징
  • 지연/블루밍 저감형 픽셀 설계
  • CQD 결함 기반 성능 예측
  • 근적외선 기능성 센싱

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