이 연구는 RF 플라즈마 소스 응용을 위한 조화(하모닉) 튜닝 도허티 전력 증폭기(DPA)를 설계하는 새로운 접근법을 제시한다. 본 접근은 내부 정합(internally matched)된 패키지 트랜지스터를 활용하며, GaN HEMT를 사용한다. 제안된 DPA는 병렬 스텁 기반 하모닉 제어(parallel stub-based harmonic control)와 소형 커패시터 기반 후정합 네트워크(PMN, post-matching network)를 포함하여, 기본 임피던스에 영향을 주지 않으면서 백오프(back-off) 효율을 향상시킨다. 이 혁신적 결합 구조를 사용하여 대출력 DPA를 제작하였고, 대칭적인 350-W GaN HEMT 트랜지스터를 구성으로 포함하였다. 측정된 최대 드레인 효율은 70.2-70.8% 범위였으며, 최대 출력 전력은 58.06-58.14 dBm, 6-dB 출력 백오프(OBO) 효율은 2.4-2.5 GHz 주파수 범위에서 52-65.5%였다.
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