우리는 수직 자기 이방성을 갖는 (Ga,Mn)(As,P) 강자성 반도체(FMS) 박막에서 2차 고조파 홀 전압 측정을 사용하여 스핀-궤도 토크(SOT) 유효장(spin-orbit torque effective fields)을 조사한다. 외부 자기장을 박막 평면에 가깝게 두 전류 방향인 [110] 및 $[1\overline{1}0]$ 결정학적 방향을 따라 스윕하는 동안, 1차 고조파(${\mathrm{V}}_{1\text{ensuremath}\omega }$) 및 2차 고조파(${\mathrm{V}}_{2\text{ensuremath}\omega }$) 홀 전압 신호를 동시에 기록한다. ${\mathrm{V}}_{2\text{ensuremath}\omega }$ 신호는 열적 효과, 주로 비정상 네른스트 효과에 의해 영향을 받는, 자기장 의존적인 뚜렷한 특성을 보인다. SOT 유효장에 대한 정확한 값을 얻기 위해, ${\mathrm{V}}_{2\text{ensuremath}\omega }$ 신호에 대한 면밀한 분석을 통해 열적 기여를 고려한다. 유효장 ${\mathrm{H}}_{\mathrm{DLT}}$ (감쇠성 토크(dampinglike torque)에 해당) 및 ${\mathrm{H}}_{\mathrm{FLT}}$ (장(場)성 토크(fieldlike torque)에 해당)는 [110] 방향에 비해 $[1\overline{1}0]$ 전류 방향에서 유의하게 더 큰 것으로 밝혀졌다. 이러한 관찰은 인장 변형(tensile strain) 하의 (Ga,Mn)(As,P) 박막에서 라쉬바(Rashba) 및 드레슬하우스(Dresselhaus) 효과로부터 기인하는 순 스핀-궤도 장의 상대적 세기와 일치한다. 또한, 두 전류 방향 모두에서 ${\mathrm{H}}_{\mathrm{DLT}}$가 ${\mathrm{H}}_{\mathrm{FLT}}$보다 일관되게 더 강하며, 이는 FMS 박막에서 SOT 자기화 스위칭 실험에서 감쇠성 토크의 지배적 역할을 확인해 준다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.